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 Forum Index —› Hardware —› Spannungsänderung bei Speicher und Dual Channel
 


Autor Mitteilung
sloong
registriert

Beiträge: 24


Gesendet: 00:46 - 04.04.2005

Hallo, bins schon wieder.

Habe nochmal zwei Fragen zum Speicher. Also ich habe ja Aufgrund meiner alten Probleme die Spannung des Speichers von 2,65V auf 2,6V runtergesetzt. Wie wirkt sich das auf mein System aus? Verliere ich dadurch Leistung oder hat das einen anderen Sinn und Zweck?


Nachdem ich jetzt meine 2 Speichermodule problemlos benutzen kann, wüsste ich gerne, wie ich eigentlich überprüfen kann, ob mein Rechner jetzt im Dual Channel-Betrieb arbeitet? Muss ich da auch was im BIOS für ändern oder geht das automatisch? Welchen Leistungsvorteil bringt mir das gegenüber dem normalen Betrieb?

Ich danke wie immer im voraus für die hilfreichen Antworten!

emefge, Michael.
sloong
registriert

Beiträge: 24


 

Gesendet: 00:52 - 04.04.2005

Achja ...

... für alle dies Interessiert: Habe hier mal ein Feedback zu meinem letzten Problem gegeben.
Deichkind
Board-Champion

Beiträge: 5022


 

Gesendet: 09:13 - 04.04.2005

zunächst mal Danke fürs Feedback vom anderen Thread ;-)

Soweit mir bekannt ist verlierst du bei der Spannung keine Leistung. Das "Drehen" dient eher der Stabilität als der Performance. Die Spannung wird meist nur dann verändert wenn du übertaktest.

Du musst lediglich aufpassen , dass du für den DC-Betrieb die richtigen Bänke benutzt. (z.B. 0+2)Schau dafür ins Manual des Mainboards. Auf mehr musst du imho nicht achten.

Der Speicherbus liegt beim DC-Betrieb bei128 Bit anstelle 64. Wenn beide Kanäle gleichzeitig angesprochen werden, ergibt sich ein Plus von max. 4-6 Prozent. Nicht die Welt, aber immerhin..
Gruß vom
Deichkind
tommes
Boardmeister

Beiträge: 979


 

Gesendet: 10:33 - 04.04.2005

das mit den speicherbänken stimmt!

und je nachdem welches bios du hast (z.b. bei award/phoenix) kommt beim boot-bildschirm ganz kurz die meldung: dual channel mode... oder so.

bei mir betrug der leistungszuwachs 5 % beim bechmark 2001 se. die merkst du im realen betrieb nicht.

gruß
thomas
sloong
registriert

Beiträge: 24


 

Gesendet: 14:15 - 04.04.2005

Also erstmal danke fürs Antworten. Ihr zwei seid ja echt immer am Start, wenn ich mal wieder mit ner Frage an der Tür klopfe :)

und deshalb frage ich direkt mal weiter :)
in meinem BIOS (AWARD 1.9) habe ich unter DRAM Configuration folgendes stehen:


Current FSB Frequency: 200MHz
Current DRAM Frequency: 200MHz
DRAM Timing Selectable: Manual
- DRAM Clock: DDR400
- DRAM Command Rate: 1T
- CAS Latency Time: 2,5
- RAS# to CAS# Delay: 3 Clocks
- Min. RAS# Active Time: 8 Clocks
- RAS# Precharge Time: 3 Clocks
- Row Cycle Time: 11 Clocks
- Row Refresh Cycle Time: 14 Clocks
- RAS# to RAS# Delay: 2 Clocks
- Write Recovery Time: 3 Clocks
- Write to Read Delay: 2 Clocks
- Read to Write Delay: 4 Clcoks

Ist das ok so? Ich hätte gerne eine möglichst stabile, aber auch flotte Einstellung.
Wäre super, wenn sich einer die Zeit nehmen würde und mir erklären könnte, was die einzelnen Begriffe eigentlich bedeuten.
Welches sind die wichtigen Einstellungen und von welchen sollte man lieber die Finger lassen?
Welche Einstellungen machen ein System instabil und/ oder langsam?

Was würdet ihr an meiner Stelle einstellen?

Nochmal meine Speicher-Daten:

2 Corsair Value Select Speicher-Riegel
- 1x512MB RAM DDR400 CL2,5
- 1x512MB RAM DDR400 CL3

Freue mich wie immer über eure kompetenten Antworten!
Deichkind
Board-Champion

Beiträge: 5022


 

Gesendet: 15:20 - 04.04.2005

Gehen wir mal die wichtigsten durch..Die DRAM Command Rate bezeichnet den wartezustand der Befehle.1T=stabil/2T=mehr performance...

CAS Latency Time: 2,5 ist die Latenz...kennst du ja. 1,5 schnell, 2,5

dram timing select- hier stellst du das Timing ein. (by SPD, oder je nach RAM man.)


RAS# to CAS# Delay: ist die Taktverzögerung zwischen den Signalen. Auch Hier ist weniger schneller und Mehr stabiler.

RAS# Precharge Time= ist die Vorladezeit im lokalen Speicher.Nicht dran rühren

Row Cycle Time: Ist die "aktive" Zeit des RAM (RAS Active to RAS Active)
Min.= nicht dran rühren

Row Refresh Cycle Time - wie oben , hier steht die Autorefresh Zeit des RAM drin..

Write Recovery Time: Regelt die Anzahl der Taktzyklen zwischen der letzten gültigen Schreibaktion und dem frühesten Zeitpunkt auftreten, an dem derselben Bank ein neuer Vorladebefehl zugewiesen werden kann.

was ich an deiner Stelle ändern würde ist schwer zu sagen. ich werde mich hüten :-)) Teste das selber Step by Step ab. Im Grunde nicht schwer und ie beim CPU - OC.. Einfach die relevanten Einstellungen (Refresh, Burst, etc...)leicht nach unten korrigieren. Wird das System instabil, änderst du den Wert eben wieder.

Die Besten Timing Einstellungen sind am wichtigsten, aber auch nicht unkompliziert herauszufinden. Am Gewinnbringensten beim RAM ist meiner Meinung der "Burst Zugriff" die Waitstates und die Refreshes. Das alles findest du im Chipset Features Setup. Bei den Waitstates gibts viele Möglichkeiten. (je geringer desto schneller)0 bis 4WS

Mach vor den Änderungen am Besten ein Benchmark für später zum Abgleich.

Und... CMOS Daten sichern !! damit du im Notfall mit den alten Einstellungen reagieren kannst.

Immer langsam und Stück für Stück vortasten an schnellere Timings. Nie 2 oder 3 Einstellungen gleichzeitig ändern.



tommes
Boardmeister

Beiträge: 979


 

Gesendet: 15:31 - 04.04.2005

hallo sloong,

da hast du ja ein riesenfragenpaket geschnürt, das zu beantworten hier schon fast den rahmen sprengt, dafür brauchen wir etwas zeit.

grob gesagt handelt es sich hier einstellungen der taktzyklen und latenzzeiten in denen informationen im speicher gehalten werden.

dazu kommen sicher noch mehr infos.

zuersteinmal sieht das alles ganz gut aus.

du hast im menuepunkt ddr timing selectable: manuell eingegeben.

guck mal nach ob es dort die einstellung aggressive gibt (o.ä.). dann gibts da noch optimal für ein stabiles setting.

plump gesagt, je niedriger die einstellungswerte sind, desto schneller arbeitet dein system, wird aber auch instabiler.

das kann man aber gefahrlos austesten und wie gesagt, ich bin mir sicher das hier noch was kommt.

gruß thomas
tommes
Boardmeister

Beiträge: 979


 

Gesendet: 15:35 - 04.04.2005

@ deichkind:

booaah

richtig in form heute, was?

gruß thomas
Deichkind
Board-Champion

Beiträge: 5022


 

Gesendet: 16:54 - 04.04.2005

Ja ! war aber nur wenige Minuten schneller als du ...macht wohl der Frühling
sloong
registriert

Beiträge: 24


 

Gesendet: 18:25 - 04.04.2005

WOW!

Danke für die umfassenden Antworten.

@Deichkind: du schreibst:"1T=stabil/2T=mehr performance..." nu hatte ich das ja zur zeit noch auf 1T stehen. dabei sind mir in Windows fast alle Programme, die ich betrieben habe nach einiger Zeiz zusammengebrochen. kam immer ein Fenster, dass das PrgrammXY einen Fehler festgestellt hat und beendet werden muss. ich habe einfach mal versucht das dann auf 2T zu stellen (hatte das hier noch nicht gelesen) und seit dem läuft alles optimal. hast du dich nur aus versehen verschrieben, oder müsste mein System jetzt nicht instabiler sein?!

Was die "Tunings" meines Speichers angeht, werde ich wohl in den nächsten Tagen mal ein bischen rumprobieren.

"Mach vor den Änderungen am Besten ein Benchmark für später zum Abgleich."
Welchen Benchmark könnt ihr empfehlen?

@tommes: "du hast im menuepunkt ddr timing selectable: manuell eingegeben. guck mal nach ob es dort die einstellung aggressive gibt (o.ä.). dann gibts da noch optimal für ein stabiles setting."

also unter diesem menüpunkt kann ich drei einstellungen auswählen:
1. Manual
2. Automatic
3. by SPD

agressive oder ähnliches konnte ich bisher nirgends finden.
sloong
registriert

Beiträge: 24


 

Gesendet: 18:27 - 04.04.2005

entschuldigt das dauernde doppelgeschreibe, aber ich kann meine eigenen nachrichten nicht nachträglich abändern...

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